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    • 半導(dǎo)體新能源醫(yī)療用純鈦靶
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    半導(dǎo)體新能源醫(yī)療用純鈦靶

    材質(zhì):TA1(Grade1 )、 TA2(Grade2 )

    執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn): ASTM B348、GB/T 3620.1、GB/T 5193

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    發(fā)布日期: 2023-02-11 13:12:20

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    詳細(xì)描述 / Detailed description

    1、定義

    純鈦靶是以鈦金屬為主要成分,純度通常在 99.95%(3N5級)以上 的濺射靶材,用于物理氣相沉積(PVD)或化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝,通過濺射或蒸發(fā)在基材表面形成功能性薄膜。其核心用途是為半導(dǎo)體、光學(xué)器件、裝飾鍍層等領(lǐng)域提供高性能鈦基薄膜。

    2、性能特點

    高純度:雜質(zhì)(Fe、O、C等)含量極低(≤500 ppm),確保薄膜性能穩(wěn)定。

    高密度:≥4.5 g/cm3,減少濺射顆粒飛濺,提升成膜均勻性。

    優(yōu)異耐腐蝕性:鈦的鈍化膜(TiO?)賦予其在酸、堿及高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性。

    低電阻率:純鈦薄膜電阻率約為 420 nΩ·m,適合導(dǎo)電層應(yīng)用。

    高溫適應(yīng)性:熔點達 1668°C,可在高溫濺射工藝中使用。

    3、材質(zhì)與制造工藝

    材質(zhì):

    純度等級: 3N5(99.95%)至5N(99.999%),常見牌號為 ASTM Grade 1 或定制高純鈦。

    形態(tài):鍛造靶材(致密)、粉末冶金靶材(復(fù)雜形狀)。

    制造工藝:

    原料提純:電子束熔煉(EBM)或真空電弧熔煉(VAR),去除揮發(fā)性雜質(zhì)。

    塑性加工:熱軋/冷軋→退火處理→精密切割。

    表面處理:鏡面拋光(Ra≤0.4 μm)→超聲波清洗→真空封裝。

    4、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

    標(biāo)準(zhǔn)類型具體標(biāo)準(zhǔn)
    國際標(biāo)準(zhǔn)ASTM B348(鈦及鈦合金棒材/板材)、SEMI F47(半導(dǎo)體靶材通用規(guī)范)
    國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)GB/T 3620.1(鈦及鈦合金牌號)、GB/T 5193(雜質(zhì)檢測方法)
    行業(yè)規(guī)范顯示面板廠商定制標(biāo)準(zhǔn)(如京東方對氧含量≤300 ppm的要求)

    5、應(yīng)用領(lǐng)域

    半導(dǎo)體制造:銅互連阻擋層(Ti/TiN)、電極材料。

    光學(xué)鍍膜:增透膜、高反射鏡(紫外-紅外波段)。

    裝飾鍍層:手機中框、腕表的氮化鈦(TiN)金色涂層。

    新能源:鋰離子電池集流體鍍層、燃料電池雙極板。

    醫(yī)療器械:生物相容性鍍層(如骨科植入物表面處理)。

    6、與其他靶材的異同對比

    特性高純鈦靶鈦合金靶(如Ti6Al4V)純鋯靶純鎳靶
    成分≥99.95% TiTi + Al(6%)、V(4%)等≥99.5% Zr≥99.9% Ni
    密度(g/cm3)4.514.436.528.90
    熔點(°C)16681604-166018551455
    薄膜特性高耐蝕、低電阻高硬度、耐磨耐高溫氧化、中子吸收高導(dǎo)電性、磁性
    典型應(yīng)用半導(dǎo)體阻擋層、裝飾鍍層航空部件耐磨涂層核反應(yīng)堆涂層、耐腐蝕薄膜磁性存儲、電池電極
    成本高(提純工藝復(fù)雜)中等極高(鋯資源稀缺)

    7、選購方法與注意事項

    選購方法

    純度驗證:

    要求供應(yīng)商提供 GDMS(輝光放電質(zhì)譜) 或 ICP-MS 檢測報告,重點關(guān)注 Fe、O、C 含量。

    例如:4N5級鈦靶要求 Fe ≤50 ppm,O ≤300 ppm。

    微觀結(jié)構(gòu)檢測:

    通過 SEM(掃描電鏡) 觀察晶粒尺寸(目標(biāo) <50 μm)及氣孔率(≤0.1%)。

    尺寸適配性:

    匹配濺射設(shè)備腔體,如 直徑200-300 mm、厚度6-10 mm 的圓形靶材。

    供應(yīng)商評估:

    優(yōu)先選擇具備 EBM熔煉+熱等靜壓(HIP) 技術(shù)的廠商,確保靶材致密度。

    注意事項

    儲存條件:

    真空鋁箔袋封裝,充氬氣保護,避免吸氧(儲存濕度 <30% RH)。

    使用優(yōu)化:

    預(yù)濺射處理:功率 5-10 W/cm2,時間 15-30分鐘,去除表面氧化層。

    濺射參數(shù):氬氣壓力 0.3-0.5 Pa,基片溫度 ≤300°C(避免晶粒粗化)。

    維護與回收:

    定期翻轉(zhuǎn)靶材(使用率 ≥80% 時),剩余靶材可回收重熔(需檢測雜質(zhì)累積)。

    純鈦靶以其超低雜質(zhì)含量和優(yōu)異成膜性能,成為高端制造領(lǐng)域的核心材料。與鈦合金靶相比,其純度更高但硬度較低;與純鋯靶相比,成本更低但耐高溫性稍遜;與純鎳靶相比,耐腐蝕性更優(yōu)但導(dǎo)電性不足。選購時需嚴(yán)格把控純度與微觀結(jié)構(gòu),并結(jié)合應(yīng)用場景優(yōu)化濺射工藝,以最大化靶材利用率與薄膜性能。

    產(chǎn)品相冊 / Product album
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